PHD9NQ20T,118 - MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

Référence fabricant

PHD9NQ20T,118

Numéro de pièce interne

ABC-PHD9NQ20T,118

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour PHD9NQ20T,118

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PHD9NQ20T,118

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 959pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 88W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DPAK

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PHD9 , PHD9NQ

Documents pour PHD9NQ20T,118

Feuilles de données : PHD9NQ20T,118.pdf

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