TK50P03M1(T6RSS-Q) - MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3

Référence fabricant

TK50P03M1(T6RSS-Q)

Numéro de pièce interne

ABC-TK50P03M1(T6RSS-Q)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TK50P03M1(T6RSS-Q)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK50P03M1(T6RSS-Q)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3

Séries : U-MOSVI-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 47W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DP

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK50P0 , TK50P03M1

Documents pour TK50P03M1(T6RSS-Q)

Feuilles de données : TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf

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