IPS70R900P7SAKMA1 - MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Référence fabricant

IPS70R900P7SAKMA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPS70R900P7SAKMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IPS70R900P7SAKMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPS70R900P7SAKMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Séries : CoolMOS™ P7

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 700V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 60µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 211pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 30.5W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO251-3

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPS70 , IPS70R90

Documents pour IPS70R900P7SAKMA1

Feuilles de données : IPS70R900P7SAKMA1.pdf

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