EFC6612R-TF - MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Référence fabricant

EFC6612R-TF

Numéro de pièce interne

ABC-EFC6612R-TF

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour EFC6612R-TF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : EFC6612R-TF

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caractéristique FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain à la tension source (Vdss) : -

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 2.5W

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-SMD, No Lead

Package d'appareils du fournisseur : 6-CSP (1.77x3.54)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : EFC , EFC66

Documents pour EFC6612R-TF

Feuilles de données : EFC6612R-TF.pdf

Produits associés pour EFC6612R-TF ON Semiconductor

Numéro d'article	Marque	La description
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BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 25PF 30KV.
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