SISS26DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Référence fabricant

SISS26DN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SISS26DN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

821338 Pieces

Prix de référence

~~USD 0.39852~~

Notre prix

- (Veuillez nous contacter pour un meilleur prix: [email protected])

ABC Semiconductor a SISS26DN-T1-GE3 en stock à vendre. Nous pouvons vous expédier dans les 1-2 jours. Veuillez nous contacter pour un meilleur prix pour SISS26DN-T1-GE3. Notre email: [email protected]

Options et délais de livraison:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Options de paiement:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Spécifications pour SISS26DN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SISS26DN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Séries : TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1710pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 57W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8S

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SISS2 , SISS26D

Documents pour SISS26DN-T1-GE3

Feuilles de données : SISS26DN-T1-GE3.pdf

Produits associés pour SISS26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numéro d'article	Marque	La description
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	Ceramic Capacitors 0.022UF 100V X7R RADIAL.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1500PF 14KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF165336WQ75233BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 14KV SCREW.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 160PF 9KV AXIAL.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 32KV R85.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 3000PF 10KV.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV AXIAL.
WX110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10000PF 100V BP 1825.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 5.9PF 50V NP0 0201.