TK18E10K3,S1X(S - MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Référence fabricant

TK18E10K3,S1X(S

Numéro de pièce interne

ABC-TK18E10K3,S1X(S

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TK18E10K3,S1X(S

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK18E10K3,S1X(S

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Séries : U-MOSIV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK18E , TK18E10

Documents pour TK18E10K3,S1X(S

Feuilles de données : TK18E10K3,S1X(S.pdf

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