NTMFS4C08NAT1G - MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

Référence fabricant

NTMFS4C08NAT1G

Numéro de pièce interne

ABC-NTMFS4C08NAT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NTMFS4C08NAT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTMFS4C08NAT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16.4A (Ta), 52A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTMF , NTMFS4C

Documents pour NTMFS4C08NAT1G

Feuilles de données : NTMFS4C08NAT1G.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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