F1T6G A1G - DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-F1T6G A1G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
12141129 Pieces
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Spécifications pour F1T6G A1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : F1T6G A1G
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 800V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 500ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 800V
Capacité @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : T-18, Axial
Package d'appareils du fournisseur : TS-1
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour F1T6G A1G
Feuilles de données : F1T6G A1G.pdf
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