MURTA20060 - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Référence fabricant

MURTA20060

Numéro de pièce interne

ABC-MURTA20060

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

45543 Pieces

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Spécifications pour MURTA20060

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MURTA20060

Fabricant : GeneSiC Semiconductor

La description : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration de la diode : 1 Pair Common Cathode

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 100A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 100A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 25µA @ 600V

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Three Tower

Package d'appareils du fournisseur : Three Tower

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MUR , MURTA

Documents pour MURTA20060

Feuilles de données : MURTA20060.pdf

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