BSD816SNH6327XTSA1 - MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

Référence fabricant

BSD816SNH6327XTSA1

Numéro de pièce interne

ABC-BSD816SNH6327XTSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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8816829 Pieces

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Spécifications pour BSD816SNH6327XTSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSD816SNH6327XTSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 0.95V @ 3.7µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 2.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT363-6

Paquet / caisse : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSD816 , BSD816SNH

Documents pour BSD816SNH6327XTSA1

Feuilles de données : BSD816SNH6327XTSA1.pdf

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