TN0106N3-G-P013 - MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

Référence fabricant

TN0106N3-G-P013

Numéro de pièce interne

ABC-TN0106N3-G-P013

Fabricant

Microchip Technology

Brève description

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TN0106N3-G-P013

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TN0106N3-G-P013

Fabricant : Microchip Technology

La description : MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 350mA (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 500µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-92-3

Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TN010 , TN0106N

Documents pour TN0106N3-G-P013

Feuilles de données : TN0106N3-G-P013.pdf

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