NDS356P - MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3

Référence fabricant

NDS356P

Numéro de pièce interne

ABC-NDS356P

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NDS356P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NDS356P

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.1A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT-3

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ND , NDS

Documents pour NDS356P

Feuilles de données : NDS356P.pdf

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