IPP80P03P4L07AKSA1 - MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

Référence fabricant

IPP80P03P4L07AKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPP80P03P4L07AKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPP80P03P4L07AKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPP80P03P4L07AKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (Max) : +5V, -16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5700pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 88W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3-1

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPP80P , IPP80P03P

Documents pour IPP80P03P4L07AKSA1

Feuilles de données : IPP80P03P4L07AKSA1.pdf

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