IPD60R650CEBTMA1 - MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Référence fabricant

IPD60R650CEBTMA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPD60R650CEBTMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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89504 Pieces

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Spécifications pour IPD60R650CEBTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD60R650CEBTMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Séries : CoolMOS™ CE

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 82W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD60 , IPD60R65

Documents pour IPD60R650CEBTMA1

Feuilles de données : IPD60R650CEBTMA1.pdf

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