TPN2R805PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Référence fabricant

TPN2R805PL,L1Q

Numéro de pièce interne

ABC-TPN2R805PL,L1Q

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour TPN2R805PL,L1Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TPN2R805PL,L1Q

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Séries : U-MOSIX-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 45V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 139A (Ta), 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 300µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3.2nF @ 22.5V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.67W (Ta), 104W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TPN2 , TPN2R80

Documents pour TPN2R805PL,L1Q

Feuilles de données : TPN2R805PL,L1Q.pdf

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