CDBJFSC10650-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Référence fabricant

CDBJFSC10650-G

Numéro de pièce interne

ABC-CDBJFSC10650-G

Fabricant

Comchip Technology

Brève description

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

127232 Pieces

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Spécifications pour CDBJFSC10650-G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CDBJFSC10650-G

Fabricant : Comchip Technology

La description : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Silicon Carbide Schottky

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 10A

La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 0ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 650V

Capacité @ Vr, F : 710pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-220-2 Full Pack

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CDBJ , CDBJFSC

Documents pour CDBJFSC10650-G

Feuilles de données : CDBJFSC10650-G.pdf

Produits associés pour CDBJFSC10650-G Comchip Technology

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