DMP1096UCB4-7 - MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

Référence fabricant

DMP1096UCB4-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMP1096UCB4-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMP1096UCB4-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMP1096UCB4-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.6A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : -5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 251pF @ 6V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 820mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : U-WLB1010-4

Paquet / caisse : 4-UFBGA, WLBGA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMP1 , DMP109

Documents pour DMP1096UCB4-7

Feuilles de données : DMP1096UCB4-7.pdf

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