SI8469DB-T2-E1 - MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

Référence fabricant

SI8469DB-T2-E1

Numéro de pièce interne

ABC-SI8469DB-T2-E1

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI8469DB-T2-E1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI8469DB-T2-E1

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 8V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.6A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 4V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 780mW (Ta), 1.8W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 4-Microfoot

Paquet / caisse : 4-UFBGA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI84 , SI8469D

Documents pour SI8469DB-T2-E1

Feuilles de données : SI8469DB-T2-E1.pdf

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