EPC2106ENGRT - GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

Référence fabricant

EPC2106ENGRT

Numéro de pièce interne

ABC-EPC2106ENGRT

Fabricant

EPC

Brève description

GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

835009 Pieces

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Spécifications pour EPC2106ENGRT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : EPC2106ENGRT

Fabricant : EPC

La description : GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

Séries : eGaN®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 600µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.73nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 50V

Puissance - Max : -

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : Die

Package d'appareils du fournisseur : Die

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : EPC2 , EPC210

Documents pour EPC2106ENGRT

Feuilles de données : EPC2106ENGRT.pdf

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