RJK0655DPB-00#J5 - MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Référence fabricant

RJK0655DPB-00#J5

Numéro de pièce interne

ABC-RJK0655DPB-00#J5

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RJK0655DPB-00#J5

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RJK0655DPB-00#J5

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2550pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 60W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : LFPAK

Paquet / caisse : SC-100, SOT-669

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RJK06 , RJK0655D

Documents pour RJK0655DPB-00#J5

Feuilles de données : RJK0655DPB-00#J5.pdf

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