FDMS8670AS - MOSFET N-CH 30V 23A POWER56

Référence fabricant

FDMS8670AS

Numéro de pièce interne

ABC-FDMS8670AS

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 23A POWER56

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDMS8670AS

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDMS8670AS

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 23A POWER56

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Ta), 42A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3615pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 78W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-PQFN (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDM , FDMS8

Documents pour FDMS8670AS

Feuilles de données : FDMS8670AS.pdf

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