ZXMN6A09DN8TA - MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Référence fabricant

ZXMN6A09DN8TA

Numéro de pièce interne

ABC-ZXMN6A09DN8TA

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

513450 Pieces

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Spécifications pour ZXMN6A09DN8TA

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ZXMN6A09DN8TA

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24.2nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1407pF @ 40V

Puissance - Max : 1.25W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ZXMN , ZXMN6A

Documents pour ZXMN6A09DN8TA

Feuilles de données : ZXMN6A09DN8TA.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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