TPC6104(TE85L,F,M) - MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Référence fabricant

TPC6104(TE85L,F,M)

Numéro de pièce interne

ABC-TPC6104(TE85L,F,M)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TPC6104(TE85L,F,M)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TPC6104(TE85L,F,M)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Séries : U-MOSIII

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1430pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : VS-6 (2.9x2.8)

Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TPC610 , TPC6104(T

Documents pour TPC6104(TE85L,F,M)

Feuilles de données : TPC6104(TE85L,F,M).pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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