TSM10NC65CF C0G - MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

Référence fabricant

TSM10NC65CF C0G

Numéro de pièce interne

ABC-TSM10NC65CF C0G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

461013 Pieces

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Spécifications pour TSM10NC65CF C0G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM10NC65CF C0G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 45W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : ITO-220S

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM10 , TSM10NC

Documents pour TSM10NC65CF C0G

Feuilles de données : TSM10NC65CF C0G.pdf

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