FDV303N - MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Référence fabricant

FDV303N

Numéro de pièce interne

ABC-FDV303N

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FDV303N

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDV303N

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 680mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 350mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDV

Documents pour FDV303N

Feuilles de données : FDV303N.pdf

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