FDMS3660AS - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

Référence fabricant

FDMS3660AS

Numéro de pièce interne

ABC-FDMS3660AS

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDMS3660AS

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDMS3660AS

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2230pF @ 15V

Puissance - Max : 1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Package d'appareils du fournisseur : Power56

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDM , FDMS3

Documents pour FDMS3660AS

Feuilles de données : FDMS3660AS.pdf

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