FDB024N04AL7 - MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Référence fabricant

FDB024N04AL7

Numéro de pièce interne

ABC-FDB024N04AL7

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour FDB024N04AL7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDB024N04AL7

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 109nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7300pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 214W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263)

Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDB0 , FDB024

Documents pour FDB024N04AL7

Feuilles de données : FDB024N04AL7.pdf

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