DMN3032LFDB-7 - MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Référence fabricant

DMN3032LFDB-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMN3032LFDB-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMN3032LFDB-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN3032LFDB-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V

Puissance - Max : 1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2020-6 (Type B)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN3 , DMN303

Documents pour DMN3032LFDB-7

Feuilles de données : DMN3032LFDB-7.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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