IPAW60R380CEXKSA1 - MOSFET N-CH 600V TO220-3

Référence fabricant

IPAW60R380CEXKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPAW60R380CEXKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 600V TO220-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

442330 Pieces

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Spécifications pour IPAW60R380CEXKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPAW60R380CEXKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 600V TO220-3

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 320µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 100V

Caractéristique FET : Super Junction

Dissipation de puissance (max) : 31W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220 Full Pack

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPAW6 , IPAW60R3

Documents pour IPAW60R380CEXKSA1

Feuilles de données : IPAW60R380CEXKSA1.pdf

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