VS-GT50TP60N - IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

Référence fabricant

VS-GT50TP60N

Numéro de pièce interne

ABC-VS-GT50TP60N

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

27285 Pieces

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Spécifications pour VS-GT50TP60N

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : VS-GT50TP60N

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type IGBT : Trench

Configuration : Half Bridge

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 600V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 85A

Puissance - Max : 208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 1mA

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 3.03nF @ 30V

Contribution : Standard

Thermistance NTC : No

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : INT-A-PAK (3 + 4)

Package d'appareils du fournisseur : INT-A-PAK

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : VS-G , VS-GT5

Documents pour VS-GT50TP60N

Feuilles de données : VS-GT50TP60N.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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