DMN2008LFU-7 - MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Référence fabricant

DMN2008LFU-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMN2008LFU-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMN2008LFU-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN2008LFU-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 14.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250A

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42.3nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1418pF @ 10V

Puissance - Max : 1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-UFDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2030-6 (Type B)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN2 , DMN200

Documents pour DMN2008LFU-7

Feuilles de données : DMN2008LFU-7.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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