A2T08VD020NT1 - AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Référence fabricant

A2T08VD020NT1

Numéro de pièce interne

ABC-A2T08VD020NT1

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

51038 Pieces

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Spécifications pour A2T08VD020NT1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : A2T08VD020NT1

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : LDMOS

La fréquence : 728MHz ~ 960MHz

Gain : 19.1dB

Tension - Test : 48V

Note actuelle : 10µA

Figure de bruit : -

Courant - Test : 40mA

Puissance - sortie : 18W

Tension - nominale : 105V

Paquet / caisse : 24-QFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : 24-PQFN-EP (8x8)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : A2T0 , A2T08V

Documents pour A2T08VD020NT1

Feuilles de données : A2T08VD020NT1.pdf

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