IXTY1R4N120PHV - MOSFET N-CH

Référence fabricant

IXTY1R4N120PHV

Numéro de pièce interne

ABC-IXTY1R4N120PHV

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

290948 Pieces

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Spécifications pour IXTY1R4N120PHV

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTY1R4N120PHV

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH

Séries : Polar™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 86W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXTY , IXTY1R4

Documents pour IXTY1R4N120PHV

Feuilles de données : IXTY1R4N120PHV.pdf

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