SIA920DJ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

Référence fabricant

SIA920DJ-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SIA920DJ-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SIA920DJ-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIA920DJ-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 8V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 4V

Puissance - Max : 7.8W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIA92 , SIA920D

Documents pour SIA920DJ-T1-GE3

Feuilles de données : SIA920DJ-T1-GE3.pdf

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