BUK7C1R8-60EJ - MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7

Référence fabricant

BUK7C1R8-60EJ

Numéro de pièce interne

ABC-BUK7C1R8-60EJ

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour BUK7C1R8-60EJ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BUK7C1R8-60EJ

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK-7

Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BUK7 , BUK7C1

Documents pour BUK7C1R8-60EJ

Feuilles de données : BUK7C1R8-60EJ.pdf

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