STW8N120K5 - MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247

Référence fabricant

STW8N120K5

Numéro de pièce interne

ABC-STW8N120K5

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour STW8N120K5

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STW8N120K5

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247

Séries : MDmesh™ K5

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13.7nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 505pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 130W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STW , STW8N

Documents pour STW8N120K5

Feuilles de données : STW8N120K5.pdf

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