BUK9Y9R9-80E,115 - MOSFET N-CH 80V LFPAK

Référence fabricant

BUK9Y9R9-80E,115

Numéro de pièce interne

ABC-BUK9Y9R9-80E,115

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 80V LFPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

46046 Pieces

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Spécifications pour BUK9Y9R9-80E,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BUK9Y9R9-80E,115

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 80V LFPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56, Power-SO8

Paquet / caisse : SC-100, SOT-669

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BUK9Y , BUK9Y9R9

Documents pour BUK9Y9R9-80E,115

Feuilles de données : BUK9Y9R9-80E,115.pdf

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