SI7998DP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Référence fabricant

SI7998DP-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI7998DP-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI7998DP-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI7998DP-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V

Puissance - Max : 22W, 40W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8 Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8 Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI799 , SI7998D

Documents pour SI7998DP-T1-GE3

Feuilles de données : SI7998DP-T1-GE3.pdf

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