FGA30T65SHD - IGBT 650V 60A 238W TO-3PN

Référence fabricant

FGA30T65SHD

Numéro de pièce interne

ABC-FGA30T65SHD

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

IGBT 650V 60A 238W TO-3PN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

244202 Pieces

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Spécifications pour FGA30T65SHD

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FGA30T65SHD

Fabricant : ON Semiconductor

La description : IGBT 650V 60A 238W TO-3PN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type IGBT : Trench Field Stop

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 650V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 60A

Courant - collecteur pulsé (Icm) : 90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 30A

Puissance - Max : 238W

Énergie de commutation : 598µJ (on), 167µJ (off)

Type d'entrée : Standard

Charge de la porte : 54.7nC

Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 14.4ns/52.8ns

Condition de test : 400V, 30A, 6 Ohm, 15V

Temps de récupération inverse (trr) : 31.8ns

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareils du fournisseur : TO-3PN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FGA , FGA30

Documents pour FGA30T65SHD

Feuilles de données : FGA30T65SHD.pdf

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