CSD86311W1723 - MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

Référence fabricant

CSD86311W1723

Numéro de pièce interne

ABC-CSD86311W1723

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour CSD86311W1723

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD86311W1723

Fabricant : T-I

La description : MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 2A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 585pF @ 12.5V

Puissance - Max : 1.5W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 12-UFBGA, DSBGA

Package d'appareils du fournisseur : 12-DSBGA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD8 , CSD863

Documents pour CSD86311W1723

Feuilles de données : CSD86311W1723.pdf

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