TJ30S06M3L(T6L1,NQ - MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3

Référence fabricant

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Numéro de pièce interne

ABC-TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3

Séries : U-MOSVI

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21.8 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (Max) : +10V, -20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3950pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 68W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DPAK+

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TJ30S0 , TJ30S06M3

Documents pour TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Feuilles de données : TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf

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