IRF630B_FP001 - MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Référence fabricant

IRF630B_FP001

Numéro de pièce interne

ABC-IRF630B_FP001

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour IRF630B_FP001

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF630B_FP001

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 72W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF6 , IRF630

Documents pour IRF630B_FP001

Feuilles de données : IRF630B_FP001.pdf

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