TPN1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Référence fabricant

TPN1110ENH,L1Q

Numéro de pièce interne

ABC-TPN1110ENH,L1Q

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TPN1110ENH,L1Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TPN1110ENH,L1Q

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Séries : U-MOSVIII-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 114 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta), 39W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TPN1 , TPN1110

Documents pour TPN1110ENH,L1Q

Feuilles de données : TPN1110ENH,L1Q.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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