UG06B R0G - DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Référence fabricant

UG06B R0G

Numéro de pièce interne

ABC-UG06B R0G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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5270930 Pieces

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Spécifications pour UG06B R0G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : UG06B R0G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 600mA

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 950mV @ 600mA

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 15ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 100V

Capacité @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : T-18, Axial

Package d'appareils du fournisseur : TS-1

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : UG0 , UG06

Documents pour UG06B R0G

Feuilles de données : UG06B R0G.pdf

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