TSM025NB04CR RLG - MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Référence fabricant

TSM025NB04CR RLG

Numéro de pièce interne

ABC-TSM025NB04CR RLG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

999152 Pieces

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Spécifications pour TSM025NB04CR RLG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM025NB04CR RLG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 24A (Ta), 161A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 113nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7150pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 136W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-PDFN (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM02 , TSM025NB

Documents pour TSM025NB04CR RLG

Feuilles de données : TSM025NB04CR RLG.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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