NTJS3151PT1G - MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Référence fabricant

NTJS3151PT1G

Numéro de pièce interne

ABC-NTJS3151PT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NTJS3151PT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTJS3151PT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.7A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 12V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 625mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SC-88/SC70-6/SOT-363

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTJS , NTJS31

Documents pour NTJS3151PT1G

Feuilles de données : NTJS3151PT1G.pdf

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