MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR - IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Référence fabricant

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Numéro de pièce interne

ABC-MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Non-Volatile

Format de mémoire : FLASH

La technologie : FLASH - NAND

Taille mémoire : 512Gb (64G x 8)

Fréquence d'horloge : 333MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : -

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 2.5V ~ 3.6V

Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT29E512G , MT29E512G08CE

Documents pour MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Feuilles de données : MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR.pdf

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