AS4C512M8D3B-12BIN - IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Référence fabricant

AS4C512M8D3B-12BIN

Numéro de pièce interne

ABC-AS4C512M8D3B-12BIN

Fabricant

Alliance Memory, Inc.

Brève description

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour AS4C512M8D3B-12BIN

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AS4C512M8D3B-12BIN

Fabricant : Alliance Memory, Inc.

La description : IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Preliminary

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR3

Taille mémoire : 4Gb (512M x 8)

Fréquence d'horloge : 800MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : 20ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.425V ~ 1.575V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C (TC)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 78-VFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 78-FBGA (9x10.5)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AS4C51 , AS4C512M8

Documents pour AS4C512M8D3B-12BIN

Feuilles de données : AS4C512M8D3B-12BIN.pdf

Produits associés pour AS4C512M8D3B-12BIN Alliance Memory, Inc.

Numéro d'article	Marque	La description
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WX110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
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PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV R230 DISK.
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PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
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