MT46V128M4CY-5B:J - IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Référence fabricant

MT46V128M4CY-5B:J

Numéro de pièce interne

ABC-MT46V128M4CY-5B:J

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour MT46V128M4CY-5B:J

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT46V128M4CY-5B:J

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR

Taille mémoire : 512Mb (128M x 4)

Fréquence d'horloge : 200MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : 700ps

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 2.5V ~ 2.7V

Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT46V , MT46V128

Documents pour MT46V128M4CY-5B:J

Feuilles de données : MT46V128M4CY-5B:J.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
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