DMN6070SSD-13 - MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

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Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN6070SSD-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN6070SSD-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 588pF @ 30V
Puissance - Max : 1.2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN6 , DMN607

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Feuilles de données : DMN6070SSD-13.pdf

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